Pada tanggal 27 Maret 2025, para peneliti di Tiongkok mengumumkan terobosan signifikan dalam teknologi transistor. Mereka telah berhasil menciptakan transistor tanpa silikon yang menjanjikan peningkatan kinerja yang substansial sekaligus mengurangi konsumsi energi secara signifikan.
Inovasi ini, jika diimplementasikan dalam chip, berpotensi melampaui kemampuan chip buatan Amerika Serikat seperti Intel. Lebih jauh lagi, teknologi ini dapat membantu Tiongkok mengatasi pembatasan pembelian chip canggih dan memimpin dalam manufaktur chip dengan mengadopsi proses yang benar-benar berbeda.
Transistor baru ini menggunakan arsitektur gate-all-around field-effect transistor (GAAFET). Perbedaan utama terletak pada penggunaan bismuth oxyselenide sebagai semikonduktor, serta pembuatan transistor dua dimensi setipis atom. Arsitektur GAAFET membungkus sumber dengan gerbang di keempat sisinya, berbeda dengan desain sebelumnya seperti FinFET yang hanya membungkus tiga sisi.
Menurut para ilmuwan, chip yang menggunakan transistor ini dapat bekerja hingga 40% lebih cepat daripada prosesor silikon terbaik yang ada saat ini. Selain itu, konsumsi daya juga diklaim 10% lebih rendah. Peningkatan ini disebabkan oleh kontrol elektrostatik yang lebih baik dan potensi arus penggerak yang lebih tinggi.
Hailin Peng, profesor kimia di Peking University (PKU) dan penulis utama studi tersebut, menyatakan bahwa pengembangan transistor berbasis material 2D ini merupakan langkah besar dalam penelitian transistor. Bismut, sebagai material utama, menawarkan mobilitas pembawa yang lebih baik, memungkinkan elektron bergerak lebih cepat saat medan listrik diterapkan. Selain itu, transistor bismut 2D lebih fleksibel dan tidak mudah patah dibandingkan silikon tradisional.
Penelitian ini dipublikasikan pada tanggal 13 Februari di jurnal Nature. Temuan ini menandai arah baru dalam pengembangan teknologi semikonduktor, menjanjikan chip yang lebih cepat, lebih efisien, dan lebih fleksibel.
Keunggulan Transistor Baru:
| Fitur | Deskripsi |
|---|---|
| Material | Bismuth oxyselenide (bebas silikon) |
| Arsitektur | Gate-All-Around Field-Effect Transistor (GAAFET) |
| Kinerja | Hingga 40% lebih cepat dari prosesor silikon terbaik |
| Konsumsi Daya | 10% lebih rendah |
| Fleksibilitas | Lebih fleksibel dan tidak mudah patah dibandingkan silikon |
Komentar0